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[119] InGa液体金属S-D電極とMoO3界面層によるpチャネルOFETの駆動特性
酒井 朝陽, 松久 直司, 皆川 正寛
　令和7年度応用物理学会春季学術講演会，17p-PB1-5 (2026.03.17).

[118] キャリア注入性制御による両チャネル駆動有機トランジスタの開発
小池 柊生, 皆川 正寛, 新保 一成
令和7年度応用物理学会春季学術講演会，17p-PB1-4 (2026.03.17).

[117] 乾式酵素固定化法を用いた新規グルコースセンサの開発
長井 大地，皆川正寛
令和7年度応用物理学会春季学術講演会，16a-PA7-19 (2026.03.16).

[116] アントラセン誘導体を用いたnチャネル型有機トランジスタの開発
下辺礼心，小池柊生，新保一成, 皆川正寛
令和6年度(2024年) 応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会 学術講演会, No. A04 (2024.12.09).

[115] Development of Fully Solution-Processed Organic Field-Effect Transistors with Low Heating Temperature
K. Watyam , D. Nagai, A. Sakai, K. Shinbo , M. Minagawa
令和6年度(2024年) 応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会 学術講演会, No. A03 (2024.12.09).

[114] 低分子材料を用いた塗布型有機トランジスタの開発
酒井朝陽, 長井大地, 新保一成, 皆川正寛
第34回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 (2024.11.02).

[113] 局在型表面プラズモン共鳴を用いた有機フォトトランジスタの作製とパッチ構造Au膜厚依存性
吉村早登, 城内紗千子, 大平泰生, 馬場暁, 加藤景三, 新保一成, 皆川正寛
第34回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 (2024.11.02).

[112] バイオセンシングデバイスを目指した有機トランジスタマルチアレイの開発
長井大地，羽田伊吹，ワットイェームコンチャノック，皆川正寛, 新保一成
第85回応用物理学会秋季学術講演会, No. 18p-P08-18 (2024.09.18).

[111] 有機太陽電池積層ペンタセン薄膜ホトトランジスタにおける表面プラズモン共鳴と光応答
前山悠真，皆川正寛，城内紗千子，大平泰生, 馬場暁, 加藤景三, 新保一成, ワンテンショウ
第85回応用物理学会秋季学術講演会, No. 18p-P08-17 (2024.09.18).

[110] パッチ状構造金微粒子薄膜における局在型表面プラズモンを用いたペンタセン薄膜フォトトランジスタ
吉村早登，新保一成，加藤景三，馬場暁, 城内紗千子, 皆川正寛
2024年度誘電・絶縁材料研究会, DEI-24-062 (2024.06.25).

[109] ボトムコンタクト型有機トランジスタにおける半導体層の基板加熱成膜と伝達特性の関係
小池柊生，成戸翔，皆川正寛，新保一成
2024年度誘電・絶縁材料研究会, DEI-24-061 (2024.06.25).
※A部門優秀論文発表賞.

[108] Photosensitivity Enhancement of PentacenePhototransistors Utilizing Propagating Surface Plasmon Resonance
L. Chea，M. Minagawa，S. Jonai，Y. Ohdaira，A. Baba, K. Kato, K. Shinbo
第71回応用物理学会春季学術講演会，No. 22p-P02-3 (2024.03).

[107] 酸化モリブデンの積層によるペンタセン電界トランジスタの高性能化の検討
光山大輔，馬場暁，加藤景三，新保一成，皆川正寛
第33回電気学会東京支部新潟支所研究発表会，NGT-23-010 (2023.10.28).

[106] プラズモニック有機太陽電池を積層したペンタセン薄膜ホトトランジスタの作製と評価
前山悠真，皆川正寛，城内紗千子，大平泰生，馬場 暁，加藤景三，新保一成
第84回応用物理学会秋季学術講演会，No. 19p-P03-11 (2023.09).

[105] 伝搬型・局在型表面プラズモン共鳴を利用したペンタセン薄膜ホトトランジスタの特性評価
堀内海里，堀川龍馬，皆川正寛，城内紗千子，大平泰生，馬場 暁，加藤 景三，新保 一成
第70回応用物理学会春季学術講演会，No. 17a-PA04-18 (2023).

[104] パッチ状構造を持つMoO₃の挿入によるOFETの特性向上
小林巧海，皆川正寛，馬場 暁，加藤景三，新保一成
令和４年度(2022年) 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会，No. D-3 (2022).
※発表奨励賞受賞.

[103] 酸化性ホール注入層を持つ有機EL素子のパルス駆動特性評価
平石若菜，皆川正寛
第32回電気学会東京支部新潟支所研究発表会，NGT-22-015 (2022).

[102] 酸化モリブデンの積層によるペンタセン電界トランジスタの高性能化の検討
光山大輔，小林拓海，皆川正寛，馬場　暁，加藤景三，新保一成
第32回電気学会東京支部新潟支所研究発表会，NGT-22-013 (2022).

[101] ミストコート法による有機トランジスタ用電子注入層の作製と評価
金山直弥，酒井じゅりあ，皆川正寛
第32回電気学会東京支部新潟支所研究発表会，NGT-22-012 (2022).

[100] パッチ状MoO₃を挿入したペンタセン薄膜トランジスタのオン/オフ特性
小林巧海，皆川　正寛，馬場　暁，加藤景三，新保一成
第53回電気電子絶縁材料システムシンポジウム，deis-ID 25 (2022).

[99] 有機EL 素子における電流パルス駆動時の電導特性評価
小澤拓也，皆川正寛
第31回電気学会東京支部新潟支所研究発表会，NGT-21-027 (2021).

[98] 両極性有機半導体層に対するポリエチレンイミン化合物の電子注入性評価
酒井じゅりあ，酒井龍一，皆川正寛
第31回電気学会東京支部新潟支所研究発表会，NGT-21-023 (2021).

[97] グレーティングカップリング表面プラズモン共鳴を利用したペンタセン薄膜における光伝導の増強
竹中大樹, 堀内海里, 皆川正寛, 大平泰生, 馬場暁, 加藤景三, 新保一成
第82回応用物理学会秋季学術講演会，22p-P06-7 (2021)．

[96] 表面プラズモン共鳴を利用した有機ホトトランジスタ高感度化の検討
大桃直剛, 竹中大樹, 皆川正寛, LERTVACHIRAPAIBOON C, 大平泰生, 馬場暁, 加藤景三, 新保一成
第68回応用物理学会春季学術講演会，18p-P04-10 (2021).

[95] 不連続なMoO₃層を持つ有機トランジスタのオンオフ比
星名 洸太, 皆川 正寛, 馬場 暁, 新保 一成, 加藤 景三
令和２年度(2020年) 応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会 No.A13 (2020.11).

[94] 塗布法で作製した有機 FET の電極酸化による立ち上がり特性評価
高島 孝太，曽根 森之介，酒井 龍一，石崎 大空，皆川 正寛
第30回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 NGT-20-035 (2020.10).

[93] 表面プラズモン励起を用いた有機ホトトランジスタの高感度化の検討
大桃 直剛，竹中 大樹，ラートバイチラパイボーンチュティパーン，
大平 泰生，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，皆川 正寛
第30回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 NGT-20-033 (2020.10).

[92] 銀ナノインク電極表面の酸化処理によるOFETの応答性制御
高島 孝太，曽根 森之介，小林 幹太, 皆川 正寛
令和2年度電気学会基礎・材料・共通部門大会 3-P-A-2 (2020.09).

[91] 不連続なMoO3層を備えたペンタセン電界効果トランジスタのオン/オフ比
星名 洸太, 皆川 正寛, 馬場 暁, 加藤 景三, 新保 一成
令和2年電気学会基礎・材料・共通部門大会，2-P-C-12 (2020.09)

[90] 電極酸化による有機FETのサブスレッショルド特性制御
酒井 龍一,　曽根 森之介,　小林 幹太,　皆川 正寛
令和2年度電気学会基礎・材料・共通部門大会 1-D-p1-5 (2020.09).

[89] 酸化処理した銀電極を持つOFETの作製と評価
酒井 龍一, 曽根 森之介, 小林 幹太, 皆川 正寛
第29回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 NGT-19-012 (2019.10).

[88] 酸化性有機ホール注入層をもつ有機EL素子の連続駆動特性
平澤 大暉, 菅井 匠, 皆川 正寛
第29回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 NGT-19-006 (2019.10).

[87] ウェットプロセスで作製したOFETにおける銀ナノインク電極表面酸化処理の効果
曽根 森之介，小林 幹太，皆川 正寛，新保 一成
第80回応用物理学会秋季学術講演会 21a-B32-9 (2019.09).

[86] 高い仕事関数を持つ有機FET用プリンタブル電極の開発
小林 幹太,曽根 森之介，皆川 正寛, 新保一成
第28回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. NGT-18-111 (2018.11).

[85] 異種混合発光層を持つ白色有機EL素子の作製と評価
塩田優太郎, 皆川 正寛
第28回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. NGT-18-102 (2018.11).
※優秀発表賞受賞

[84] 有機EL素子における連続通電の電圧上昇メカニズム解析
菅井 匠, 皆川 正寛
第28回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. NGT-18-108 (2018.11).
※優秀発表賞受賞

[83] 銀ナノインク電極の酸化処理によるOFETの特性改善
小林 幹太, 曽根 森之介, 皆川 正寛,新保 一成
第79回応用物理学会秋季学術講演会 18a-PA5-21 (2018.09).

[82] MoO₃層の構造制御によるキャリア発生型ペンタセン電界効果トランジスタのオンオフ比改善
樋口侑作, 長谷川俊介, 馬場暁, 新保一成, 加藤景三，皆川 正寛
第4回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム(Organic and Inorganic Electronics Symposium: O&I Symposium)，P-03 (2018.06).

[81] キャリア発生層挿入ペンタセン薄膜電界効果トランジスタの温度特性評価
中溝聡，馬場暁，新保一成, 加藤景三, 金子双男, 皆川 正寛
第27回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. NGT-17-109 (2017.11).

[80] 高い仕事関数を持つフレキシブル有機EL用透明導電膜の開発
近藤 栄希，皆川 正寛
第27回電気学会東京支部新潟支所発表会 No. NGT-17-107 (2017.11).
※優秀発表賞受賞

[79] 酸化銀キャリア注入層を持つOFETの作製と評価
小林 幹太, 曽根 森之介, 皆川 正寛,Zhenan Bao
第78回応用物理学会秋季学術講演会 8a-PA3-20 (2017.09).

[78] 界面混合層の挿入による3層型有機EL素子の寿命特性改善
荒井祐太朗，高橋仙子，梅田幹雄，皆川正寛
第26回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. NGT-16-004 (2016.11).

[77] キャリア発生層を挿入した有機電界効果トランジスタにおける温度特性評価
遠藤龍大，中溝聡，新保一成，馬場 暁，加藤景三，金子双男，皆川正寛
第26回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. NGT-16-003 (2016.11).

[76] 電荷発生型有機トランジスタにおける酸化性材料と電気特性の関係解明
長谷川希望，皆川正寛
平成27年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 No. A11 (2015).

[75] 蛍光寿命測定による界面混合型有機EL素子の寿命改善メカニズムの考察
田辺拓磨，高橋仙子，梅田幹雄，皆川正寛
平成27年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 No. A05 (2015).

[74] 変位電流測定による有機EL素子の輝度劣化メカニズム解析
��橋仙子，梅田幹雄 ，皆川正寛
平成27年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 No. A04 (2015).

[73] 蛍光寿命解析による有機EL素子の劣化メカニズムの解明
田辺拓磨，小林駿斗，高橋仙子，竹内麻希子，梅田幹雄，皆川正寛
第 25 回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. NGT-15-015 (2015).
※優秀発表賞受賞

[72] 電荷発生型有機トランジスタにおける酸化性材料と電気特性の関係解明
長谷川希望， 梅田幹雄， 皆川正寛
第 25 回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. NGT-15-009 (2015).

[71] 斜め蒸着法によるキャリア発生型有機電界効果トランジスタのオンオフ比改善
田村 英継，新保 一成，馬場 暁，加藤 景三，金子 双男，皆川 正寛
電気学会誘電・絶縁材料研究会，IEE-DEI-15-63 (2015).

[70] 斜方蒸着を用いた電荷発生型有機電界効果トランジスタのオンオフ比改善
田村 英継，皆川 正寛，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，金子 双男「
第62回応用物理学会春季学術講演会，No. 13a-D3-2 (2015).

[69] 変位電流測定による有機EL素子の劣化メカニズム解析
高橋仙子，土田祐介，皆川正寛
第24回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. II-06 (2014).

[68] 酸化金属薄膜の挿入によるITO/α-NPD界面のホール注入性の改善
南海舟，三本浩司，皆川正寛
第24回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. I-09 (2014).

[67] MoO₃ホール注入層のラビング処理によるホール注入性の改善
長橋健太，齋藤和尭，皆川正寛
第24回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. I-08 (2014).
※優秀発表賞受賞

[66] D/E インバーター開発に向けたデプレション型OFET の開発
長谷川希望，皆川正寛
電子情報通信学会総合大会，情報・システムソサエティ特別企画 No.ISS-P-146 (2014).

[65] ラビング処理による電荷発生型OFET のオンオフ特性の改善
田村 英継，先川 諒，五十嵐 維月，皆川 正寛
電子情報通信学会総合大会，情報・システムソサエティ特別企画 No.ISS-P-145 (2014).

[64] バルクヘテロ型有機薄膜太陽電池の温度特性改善
長谷川岳志，皆川正寛
電子情報通信学会総合大会，情報・システムソサエティ特別企画 No.ISS-P-144 (2014).

[63] エネルギー構造制御による有機EL 素子のロールオフ特性改善
土田祐介，皆川正寛
電子情報通信学会総合大会，情報・システムソサエティ特別企画 No.ISS-P-143 (2014).

[62] 酸化銀超薄膜挿入による有機EL 素子の低電圧化
三本 浩司，南 海舟，皆川 正寛
電子情報通信学会総合大会，情報・システムソサエティ特別企画 No.ISS-P-142 (2014).

[61] 化学ドーピング法を用いた有機EL 素子の高効率化
高橋克哉，皆川正寛
電子情報通信学会総合大会，情報・システムソサエティ特別企画 No.ISS-P-141 (2014).

[60] Pentacene/V₂O₅共蒸着層を有する電荷発生型OFETの作製と評価
薄葉 俊，皆川 正寛，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，金子 双男
第61回応用物理学会春季学術講演会，No. 20a-E3-8 (2014).

[59] ラビング処理によるITO/MoO₃/α-NPD界面のホール注入性改善
齋藤和尭，梅田幹雄，皆川正寛
第23回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. I-05 (2013).

[58] スクラッチング法による電荷発生型OFET のON/OFF 特性の改善
先川諒，梅田幹雄，皆川正寛
第23回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. I-04 (2013).

[57] 電荷発生領域分離によるオン/オフ比改善の検討
田村英継，梅田幹雄，皆川正寛
電子情報通信学会信越支部大会，8D-2 (2013.10).

[56] トリアジン誘導体を用いた有機EL素子の温度特性評価
三本浩司, 斎木有希, 梅田幹雄, 皆川正寛
電子情報通信学会信越支部大会，8D-1 (2013.10).

[55] ペンタセン／五酸化バナジウム共蒸着膜をキャリア発生層とする有機電界効果トランジスタの作製と特性評価
薄葉 俊，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，金子 双男，皆川 正寛
有機エレクトロニクス研究討論会，No. P-9 (2013.07).

[54] キャリア発生層挿入ペンタセン電界効果トランジスタの構造と特性評価
薄葉 俊，後藤 貴俊，横山 大地，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，金子 双男，皆川 正寛
電子情報通信学会有機エレクトロニクス研究会OME2012-107, pp.9-12 (2013)

[53] 電荷発生型有機トランジスタの作製と評価
田村 英継，皆川 正寛
第18回高専シンポジウム，No. C-01 (2013.01).

[52] バルクヘテロ型有機薄膜太陽電池のMoO₃挿入による温度特性変化
長谷川 岳志，皆川 正寛
第18回高専シンポジウム，No. C-39 (2013.01).

[51] 化学ドーピング法による有機EL素子のロールオフ特性改善
高橋 克哉，皆川 正寛
第18回高専シンポジウム，No. C-40 (2013.01).

[50] AgO_xホール注入層の挿入による有機EL素子の低電圧化
三本 浩司，皆川 正寛
平成24年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 No.17a-C-4 (2012).

[49] Triazine誘導体を電子輸送層に用いた有機EL素子の作製と評価
土田 祐介，皆川 正寛
平成24年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 No.17a-C-2 (2012).

[48] AgO_x薄膜挿入による有機EL素子の低電圧化
三本 浩司，梅田 幹雄，皆川 正寛
第22回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. I-06 (2012).

[47] MoO₃薄膜を有する有機太陽電池の作製と温度特性評価
長谷川 岳志，梅田 幹雄，皆川 正寛
第22回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. I-05(2012).

[46] トリアジン誘導体を電子輸送層に用いた有機EL素子の温度特性
斎木 有希，梅田 幹雄，皆川 正寛
第22回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. I-03 (2012).

[45] 化学ドーピングを用いた単層型有機EL素子の作製と評価
高橋 克哉，梅田 幹雄，皆川 正寛
第22回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. I-01 (2012).

[44] 発光層/電子輸送層界面のエネルギー準位差低減による有機EL素子のロールオフ特性改善
土田 祐介，梅田 幹雄，皆川 正寛
電子情報通信学会信越支部大会，10C-2 (2012.10).

[43] AgO_x 薄膜挿入によるITO/α-NPD 界面におけるホール注入特性の変化
皆川 正寛，松本 紘希，梅田 幹雄，木村 宗弘
電子情報通信学会信越支部大会，10C-1 (2012.10).

[42] ペンタセン・五酸化バナジウム共蒸着層を挿入した有機電界効果トランジスタの特性評価
薄葉 俊，皆川 正寛，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，金子 双男
第73回応用物理学会学術講演会，No. 12a-H2-4 (2012).

[41] 酸化銀薄膜挿入によるITO/α-NPD 界面におけるホール注入特性の改善
松本 紘希，木村 宗弘，皆川 正寛
有機・無機エレクトロニクスシンポジウム(Organic and Inorganic Electronics Symposium)，P-22 (2012).
※Poster Award受賞

[40] HAT-CNキャリア発生層を挿入した有機FETの作製と特性評価
後藤 貴俊，皆川 正寛，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，金子 双男
電子情報通信学会ソサイエティ大会，C-13-4 (2012).

[39] Preparation and Evaluation of Pentacene Field-Effect Transistor With Carrier-Generation Layer
後藤貴俊，皆川 正寛，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，金子 双男
グローバルサーカスシンポジウム2012, No.14 (2012).

[38] MoO₃ キャリア発生層を有するペンタセン電界効果トランジスタの作製と評価
佐藤 恭央，皆川 正寛，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，金子 双男
第59回応用物理学関係連合講演会 No.16p-F9-4 (2012).

[37] Fabrication and evaluation of pentacene field-effect transistor with vanadium pentoxide
T.Gotoh, M.Minagawa, K.Shinbo, Y.Ohdaira, A.Baba, K.Kato and F.Kaneko
Fusion Tech., P13 (2011).

[36] 電荷移動錯体を利用した有機FETの作製と評価
中井 健太郎，皆川 正寛，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，金子 双男
第71回応用物理学会学術講演会 No.14a-H-11 (2010).

[35] 電荷発生型P3HT薄膜トランジスタの作製と評価
東川 哲之，中井 健太郎，皆川 正寛，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，金子 双男
平成22年電気学会全国大会 No.1140-A2, 2-095 (2010).

[34] 電荷発生型ペンタセン薄膜電界効果トランジスタの作製と特性評価
中井 健太郎，皆川 正寛，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，金子 双男
第41回電気電子絶縁材料システムシンポジウム，D-2 (2010).

[33] 五酸化バナジウムを用いた有機薄膜電界効果トランジスタの作製と特性評価
中井健太郎，東川哲之，皆川正寛，新保一成，馬場 暁，加藤景三，金子双男
電子情報通信学会信越支部大会，10D-3 (2009.10).

[32] 五酸化バナジウム層挿入ポリ−ヘキシルチオフェン電界効果トランジスタの作製と特性評価
東川哲之，中井健太郎，皆川正寛，新保一成，馬場 暁，加藤景三，金子双男
第70回応用物理学会学術講演会 No.10a-K-17 (2009).

[31] V₂O₅／CuPc積層電界効果トランジスタにおける混合層の挿入効果
北村翔平，皆川正寛，大平泰生，馬場 暁，新保一成，加藤景三，金子双男
平成21年電気学会全国大会 No.E306-C-2, 2-104 (2009).

[30] 五酸化バナジウム層挿入有機薄膜電界効果トランジスタの作製と特性評価
中井 健太郎，東川 哲之，皆川 正寛，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，金子 双男
第40回電気電子絶縁材料システムシンポジウム，P-29 (2009).

[29] 五酸化バナジウム/銅フタロシアニン薄膜トランジスタの作製と特性評価
新保 一成，皆川 正寛，東川 哲之，北村 翔平，馬場 暁，加藤 景三，金子 双男
電子情報通信学会有機エレクトロニクス研究会OME2009-17, pp.45-48 (2009)

[28] Otto/Kretschmann複合配置における色素誘起表面プラズモン放射光
羽深恵，皆川正寛，大平泰生，馬場暁，新保一成，加藤景三，金子双男
電子情報通信学会信越支部大会 No.10D-4 (2008).

[27] CuPcおよびV₂O₅積層構造を用いたOFETの作製と評価
北村翔平，皆川正寛，大平泰生，馬場暁，新保一成，加藤景三，金子双男
第69回応用物理学会学術講演会 No.2a-CG-27 (2008).

[26] 有機溶媒蒸気処理とV₂O₅挿入によるマグネシウムフタロシアニンFETの特性変化
高塚泰人，赤澤敏幸，東川哲之，皆川 正寛，新保 一成，加藤景三，金子双男，馬場暁，大平泰生
平成20年電気学会全国大会，2-111 (2008).

[25] 低温成膜したITO薄膜を用いた有機EL素子の検討
中田悠介，宮崎伸介，梅津岳，伊藤嘉宏，二木雅斗，清水英彦，丸山武男，星陽一，皆川正寛
電子情報通信学会電子部品・材料研究会11月研究会 CPM-2007-107, 325 (2007.11).

[24] CuPc薄膜FETへのV₂O₅薄膜の積層による効果
高橋俊明，北村翔平，皆川正寛，大平泰生，馬場暁，新保一成，加藤景三，金子双男
電子情報通信学会有機エレクトロニクス11月研究会OME-2007-49, p.7-10 (2007.11).

[23] 五酸化バナジウム/銅フタロシアニン積層電界効果トランジスタの作製と特性評価
北村 翔平，高橋 俊明，皆川 正寛，大平 泰生，馬場 暁，新保 一成，加藤 景三，金子 双男
第38回電気電子絶縁材料システムシンポジウム，No.B-5 p63 (2007).

[22] V₂O₅薄膜の積層によるCuPc薄膜FETの特性変化
高橋俊明，皆川正寛，岩崎正英，大平泰生，新保一成，加藤景三，金子双男
平成19年電気学会全国大会　2-111 (2007).

[21] CuPc薄膜FETにおけるV₂O₅膜の積層による効果
高橋俊明，皆川正寛，大平泰生，新保一成，加藤景三，金子双男
応用物理学会北陸信越支部学術講演会予稿集P.28 No.D-02 (2006).

[20] プラスチック基板上へのITO薄膜の作製
竹内正樹，森下和哉，梅津 岳，中田悠介，宮崎紳介，清水英彦，丸山武男，岩野春男，川上貴浩，星　陽一，皆川正寛
電子情報通信学会電子部品・材料研究会11月研究会 CPM-2006-114, p.7-11 (2006).

[19] プリズム/Ag/誘電体薄膜/Ag構造におけるプラズモン励起と放射光
今井正樹，皆川正寛，大平泰生，新保一成，加藤景三，金子双男
第37回電気電子絶縁材料システムシンポジウム No.E-2, p.93 (2006).

[18] TSC 測定による有機EL デバイスの劣化機構の解析
中原誠，皆川正寛，田所豊康，小山田崇人，雀部博之，安達千波矢
第53 回応用物理学関係連合講演会 No.26a-ZK-6, p.1404 (2006).

[17] 電荷発生層挿入フタロシアニン電界効果トランジスタの評価
岩崎正英，皆川正寛，新保一成，加藤景三，金子双男，大平泰生，川上貴浩
第16回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. P-16, p.82 (2006).

[16] Prism/Ag/MEH-PPV/C₆₀/Al 構造における表面プラズモン励起と光電特性
岩見暢彦，皆川正寛，大平泰生，新保一成，加藤景三，金子双男
電気学会研究会誘電・絶縁材料研究会 No. DEI-05-104, p.17 (2005).

[15] 車載用途に向けた高安定有機EL素子の開発
皆川正寛
日本学術振興会光電相互変換第125委員会EL分科会（第30回）情報科学用有機材料第142委員会C部会（第10回）合同研究会資料p33 (2005).
※依頼講演

[14] 酸化バナジウム層挿入フタロシアニン電界効果トランジスタの作製と評価
岩崎正英，皆川正寛，新保一成，加藤景三，金子双男，大平泰生，川上貴浩
第15回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 No. P-24, p.102 (2005).

[13] V₂O₅層挿入フタロシアニン電界効果トランジスタの作製と評価
岩崎正英，皆川正寛，新保一成，加藤景三，金子双男，大平泰生，川上貴浩
電子情報通信学会信越支部大会 No.8D-2, p.307 (2005).

[12] 表面プラズモン励起によるMEH-PPV/C₆₀薄膜光電変換素子の高効率化
岩見暢彦，皆川正寛，新保一成，大平泰生，加藤景三，金子双男，川上貴浩
電子情報通信学会信越支部大会 No.7A-3, p.241 (2005).

[11] 表面プラズモン励起を利用したMEH-PPV/C₆₀薄膜光電変換素子の高効率化
岩見暢彦，皆川正寛，新保一成，大平泰生，加藤景三，金子双男，川上貴浩
第66回応用物理学会学術講演会 No. 7p-V-11, p.1097 (2005).

[10] V₂O₅挿入フタロシアニン電界効果トランジスタの作製と評価
岩崎正英，皆川正寛，新保一成，加藤景三，金子双男，大平泰生，川上貴浩
第66回応用物理学会学術講演会 No. 9p-N-9, p.1163 (2005).

[9] 無金属フタロシアニンを発光層とする有機電界発光素子のNO₂ガス吸着による電気伝導と発光特性の変化
新保一成，皆川正寛，高坂秀明，加藤景三，金子双男，川上貴浩
電気学会研究会誘電・絶縁材料研究会，DEI-00-82 (2000.10).

[8] 無金属フタロシアニン有機電界発光素子におけるNO₂ガス吸着による電圧発生
新保一成，坂井栄吾，皆川正寛，高坂秀明，加藤景三，金子双男，川上貴浩
第61回応用物理学会学術講演会，3a-L-10 (2000.09).

[7] フタロシアニン有機ＥＬ素子のNO₂ガス吸着と電気的・光学的特性
皆川正寛，高坂秀明，新保一成，加藤景三，金子双男，川上貴浩
第47回応用物理学会関係連合講演会，30a-H-1 (2000.03).

[6] フタロシアニン有機ＥＬ素子のNO₂ガス吸着と発光特性
皆川正寛，高坂秀明，新保一成，加藤景三，金子双男，川上貴浩
電気学会全国大会，2-118 (2000.03).

[5] NO₂ガス吸着によるフタロシアニン有機ＥＬ素子の電気伝導と発光変化
皆川正寛，新保一成，加藤景三，金子双男，川上貴浩
日本物理学会北陸支部・応用物理学会北陸・信越支部合同講演会，I-20 (1999.12).

[4] 無金属フタロシアニン有機ＥＬ素子のNO₂ガス応答特性
皆川正寛，新保一成，加藤景三，金子双男，川上貴浩
電子情報通信学会信越支部大会，B-5 (1999.10).

[3] フタロシアニン有機ＥＬ素子のNO₂ガス応答特性
皆川正寛，新保一成，加藤景三，金子双男，川上貴浩
第６０回応用物理学会学術講演会，3p-N-3 (1999.09).

[2] スピンコート法を用いた有機電界発光素子の作製と評価
石川敦大，皆川正寛，金子双男，加藤景三，新保一成
第８回電気学会東京支部新潟支所研究発表会，P-2 (1998.11).

[1] CuPcをバッファ層とする有機ＥＬ素子の電気伝導
皆川正寛，石川敦大，新保一成，加藤景三，金子双男
電子情報通信学会信越支部大会，I-6 (1998.10).