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| 多元同時真空蒸着装置全景 | 薄膜成長系 |
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| 多元同時真空蒸着装置の構成 | |
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| 排気特性 | |
上の多元同時真空蒸着装置では、薄膜成長系内の各部の温度の測定及び制御は、市販の温度コントローラで行っているが、温度の推移を記録することはできない。材料の研究開発において、試料の比較検討や再現のためには、作製条件の厳密な制御と監視が必要である。本研究は、薄膜成長系内の温度を監視する「温度監視システム」を構築し、試料作製を高精度化することを目的としている。



多元同時真空蒸着装置用温度監視システムの構築に向けて、基本的な構成を実現することができた。しかし、まだR型熱電対用増幅回路の動作やプログラムのサンプリングレート処理に問題を抱えており、これらの解決が急務である。また今後、全蒸発源の温度推移の記録にシステムを拡張するためには、今回は作製しなかったW-Re熱電対用増幅回路も作製する必要がある。




現段階では、熱起電力増幅装置は2種類の熱電対にしか対応しておらず、一方、多元同時真空蒸着装置では3種類の熱電対を使用しているので、全ての温度推移を監視することができない。今後は、全ての熱電対に対応できるようにシステムを拡張する必要がある。