新着情報[地域の方へ 在校生・保護者の方へ ]

第18回三元および多元系化合物国際会議(ICTMC18)においてPoster Awardを2名が受賞(2012.09.07)

2012年8月27日-31日の5日間,オーストリアのザルツブルグで開催された第18回三元および多元系化合物国際会議(18th International Conference on Ternary and Multinary Compounds:ICTMC18)において,本校専攻科 物質工学専攻1年 粟飯原直也君がPoster Award (1st Place)(ポスター講演賞1位)を受賞するとともに,本校物質工学科 荒木秀明准教授がPoster Award (3rd Place)(ポスター講演賞3位)を受賞しました.

Poster Award (1st Place)
受賞者:粟飯原直也(専攻科物質工学専攻1年)
題目:Fabrication of Cu2SnS3 thin films by sulfurization of evaporated Cu-Sn precursors for solar cells
著者:N. Aihara, H. Araki, A. Takeuchi, K. Jimbo, H. Katagiri
概要:希少元素や毒性元素を含まない新しい3元系化合物Cu2SnS3(CTS)を用いた新型薄膜太陽電池の開発に取り組み,このCTS薄膜の電気的・光学的特性の組成依存性を明らかにするとともに,CTS薄膜太陽電池のこれまでで最も高い変換効率を報告し,新しい太陽電池材料の可能性を示した.

Poster Award (3rd Place)
受賞者:荒木秀明(物質工学科准教授,科学技術振興機構さきがけ)
題目:Fabrication of Cu2Zn(Sn1-xGex)S4 solar cells by sulfurization of stacked metallic precursors
著者:H. Araki, K. Chino, N. Aihara, K. Toyonaga, X. M. Khoo, N. Takahashi
概要:銅,亜鉛,スズ,硫黄を主成分としたCu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太陽電池材料のスズ(Sn)をゲルマニウム(Ge)に置き換えた新型薄膜太陽電池を開発し,SnをGeで置換することによって太陽電池の特性を決めるバンドギャップ値を制御できる可能性を示した.

これらの研究は新しい多元系化合物を用いた太陽電池開発に関する研究であり,多元系化合物の新しい可能性を切り開く研究として高く評価され受賞となりました.

本校では学科の枠を超えた研究グループProject CZTSを立ち上げ,CZTSやCTSを中心とした新しい薄膜太陽電池の開発に取り組んでいます.現在,科学技術振興機構(JST)-CREST,JST-さきがけといったビッグプロジェクトを通じて,最先端の太陽電池研究を精力的に行っており,本受賞研究はいずれも,JST-さきがけ「レアメタルフリー新型化合物系薄膜太陽電池の開発」およびJST-CREST「Next次世代を目指す化合物薄膜太陽電池の高性能化」の一環として実施されたものです.

表彰式(中央:粟飯原直也君,中央右:荒木秀明准教授)